半導體怎么抗腐蝕？工業(yè)除濕機幫助企業(yè)提高成品率

半導體制造如何抗腐蝕？工業(yè)除濕機幫助企業(yè)提高成品率

濕度/濕度導致“電路點”的腐蝕，微芯片電路表面上的冷凝和光致抗蝕劑的不當粘附導致半導體組件的操作失敗。

一般建議

半導體組裝制造區(qū)域的相對濕度應保持在30％RH，20°C（70°F）。

我們的除濕機方案

半導體......微電路和微芯片 - 制造需要在制造/加工區(qū)域保持非常精確的條件。用于半導體組裝/加工的組件通常是吸濕的，因此高度易受高濕度條件的影響。高濕度條件導致芯片操作失敗，粘附不當，電路點腐蝕和許多其他問題。

濕度控制...... 一個重要的變量 -

防止“電路點”的腐蝕。

防止微芯片電路表面結(jié)露。

保護設備

光刻膠的附著力更好

因此，濕度控制成為必需品

1.裝配區(qū)

在半導體和集成電路的生產(chǎn)中，過多的水分會對粘合過程產(chǎn)生不利影響并增加缺陷。稱為光致抗蝕劑的光敏聚合物化合物用于掩蔽用于蝕刻工藝的電路線。由于它們的吸濕性，它們吸收水分，導致微觀電路線被切斷或橋接，導致電路故障。

2.晶圓制造區(qū)域

在晶片制造期間，旋轉(zhuǎn)器在晶片表面上噴射顯影劑，使得存在于晶片上的溶劑快速蒸發(fā)，從而冷卻晶片表面。這導致來自晶片表面上的空氣的水蒸氣冷凝。晶片上的這種額外的水導致顯影劑的特性改變。抗蝕劑還吸收水分，導致聚合物膨脹。將相對濕度控制在30％消除了將晶片表面冷卻到低于晶片表面周圍空氣露點的可能性，從而防止失效和變質(zhì)。

3.照片光刻室

光刻室中的條件需要在約70°F下保持在20％至35％RH之間。過多的水分會導致二氧化硅吸收水分，導致光刻膠粘附不當，從而導致應力破裂和表面缺陷。

4.真空泵減速更快

如果濕度高，則由于水蒸氣的大量負荷，低溫泵等真空設備的運行速度變慢。如果RH水平可以保持在大約30-35％之間，那么顯著降低了批次處理速度。

5.用于保護EPI設備

水蒸氣或濕氣凝結(jié)在外延設備的冷卻表面上，腐蝕部件，導致操作失敗和過程減慢。工業(yè)除濕機可以有效地保持半導體制造區(qū)域所需的最嚴格的濕度條件，因為無論環(huán)境條件如何，它們都能夠?qū)H保持在低至1％甚至更低的恒定水平。